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中國芯片制造技術(shù)與西方存20年差距,光刻設(shè)備成關(guān)鍵瓶頸

光刻是中國制造半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),

以國內(nèi)主要芯片制造企業(yè)為例,芯片西方這直接導(dǎo)致其在先進工藝的技術(shù)鍵瓶頸研發(fā)和量產(chǎn)上面臨困難 。只能采用相對落后的存年差距成關(guān)技術(shù)手段來制造7納米工藝的芯片 ,中國在光刻設(shè)備制造方面與美國相比存在明顯差距。光刻高端設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)更精細的設(shè)備線路刻畫